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[[abstract]]Description de deux proc嶮廥 de fabrication de composants MOS compl幦entaire en technologie silicium sur saphir. Dans les deux proc嶮廥, une couche de silicium amorphe est form嶪 par implantation d'ions de silicium puis, ?partir de cette couche, une mince pellicule de silicium monocristallin est form嶪 par 廧itaxie (recristallisation). Les r廥ultats exp廨imentaux montrent que l'on obtient, par ces proc嶮廥, une r嶮uction de la densit?en d嶨auts, de meilleures mobilit廥 des porteurs et, simultan幦ent, un courant de fuite r嶮uit
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